Полные характеристики чипсета Snapdragon 835 представлены официально на CES 2017

Как и следовало ожидать, больше информации о чипсете Snapdragon 835 обнародовали в Лас-Вегасе. Новый топовый чип оснащен восьмиядерным процессором, использующим восемь ядер Kryo 280. Четыре работают с тактовой частотой 2,45 ГГц. Остальные четыре ядра работают на тактовой частоте 1,9 ГГц, именно их ваш смартфон будет использовать 80% времени.

Snapdragon 835 построен Samsung по 10 нм процессу, и он становится на 27% по сравнению с моделью прошлого поколения.

Он на 40% энергоэффективнее и занимает меньшую площадь, тем  самым предоставляя больше места для больших батарей и дополнительных функций внутри смартфона. С Quick Charge 4 батарея заряжается на 20% быстрее, чем с Quick Charge 3.

У Snapdragon 835 достаточно низкое потребление энергии для одного дня звонков, пяти дней в режиме воспроизведения музыки, семи часов воспроизведения 4K видео в потоковом режиме и три часа съемки видео с разрешением 4K. Пять минут зарядки с Quick Charge 4 дают пользователю пять дополнительных часов автономной работы. 15 минут зарядки заполнят батарею до 50% ее полной емкости.

Чипсет поддерживает одну камеру с разрешением до 32 МП или два 16 МП сенсора. Он обладает технологией Clear Sight для поддержки двойной камеры. Съемка видео 4K происходит со скоростью 30 кадров в секунду, а воспроизведение – 60 fps. Графический процессор Adreno 540 обрабатывает в 60 раз больше цветов и на 25% быстрее происходит рендеринг 3D, чем у Adreno 530. Чип совместим с платформой Google Daydream VR.

В начале этого года чипсет Snapdragon 835 появится в флагманских смартфонах: LG G6, HTC 11 и Samsung Galaxy S8 (в некоторых регионах).

Живое фото чипсета: