Qualcomm объявляет о чипсете Snapdragon 835 по технологии 10 нм производства Samsung

Как вы, наверное, знаете, большинство производителей Android-смартфонов топ-уровня доверяют только одному бренду среди чипсетов. Речь идет о компании Qualcomm, конечно же, и его семействе Snapdragon SoC. В настоящее время компания объявила свой флагманский продукт для начала 2017 года — Qualcomm Snapdragon 835.

Как и Snapdragon 820, 835 модель была разработана в партнерстве с Samsung. Последняя компания делает большие успехи в области разработки чипсетов в последнее время, и сумели обеспечить компании Qualcomm чипсет, выполненный по 10-ти нанометровому технологичному процессу. Уточним, что чем меньше технологический процесс, тем меньше чип и меньше энергии он потребляет, более подробно мы писали об этом в этой статье. И 10 нм технология является на данный момент самой тонкой технологией производства.

Согласно официальному пресс-релизу, по сравнению с 14 нм Snapdragon 820, 835 на 30% меньше, имеет на 27% более высокую производительность, и на 40% потребляет меньше энергии.

Новый процессор также будет поддерживать новое поколение быстрой зарядки от Qualcomm версии 4.0. Говорят, что это обеспечит на 20% более быструю зарядку, чем при уже внушительном результате Quick Charge 3.0. Как пример – HTC 10, LG G5 и Galaxy S7 заряжаются до 100% с третьем поколением быстрой зарядки в течение 80-100 минут.

Quick Charge 4.0 заряжает аккумулятор емкостью 2750 мАч на половину за 15 минут. Данная технология имеет четыре уровня защиты от перегрева при зарядке.