Samsung Galaxy Note 8 может обладать памятью V-NAND объемом 256 ГБ

Новый разрабатываемый фаблет Samsung Galaxy Note 8 может содержать 256 ГБ встроенной памяти. Данное предположение сделано на основе того, что Samsung начала массовое производство чипов памяти V-NAND объемом 256 ГБ. Существует высокая вероятность того, что они появятся в Galaxy Note 8, который выйдет в августе.

В настоящее время самый быстрый чип Samsung – это 48-слойная 3-битная V-NAND флэш-память объемом 256 ГБ. По сравнению с ней предстоящий 64-слойный 3-битный чип памяти V-NAND объемом 256 ГБ лучше по четырем параметрам.

Во-первых, у 64-слойного чипа скорость передачи данных 1 гигабит в секунду, что в 1,5 раза быстрее, чем у 48-слойного чипа. Во-вторых, новый чип на 30% производительнее, чем его предшественник. В-третьих, 64-слойная флэш-память, благодаря входному напряжению 2,5 В, имеет лучшую энергоэффективность. И последнее, новый чип на 20% надежнее, чем 48-слойный 3-битный чип V-NAND объемом 256 ГБ.

Samsung Galaxy Note 8 также могут оснастить новым процессором Snapdragon 836, который станет немного улучшенной версией своего предшественника Snapdragon 835. Судя по недавно просочившимся характеристикам, Galaxy Note 8 станет мощным возвращением Samsung после фиаско Note 7.

Подписывайтесь на наш Канал в Дзен!

___________________________________

НА ГЛАВНУЮ СТРАНИЦУ САЙТА >>>>

© Mobcompany.info