Технология IBM может заменить оперативную и постоянную память, ускорив смартфоны

Компания IBM опубликовала интересный доклад. В нём содержится информация о новой разработке, представляющей собой оптическую технологию хранения данных. Теоретически в будущем она может заменить собой оперативную и флеш-память. Это приведет к значительному ускорению быстродействия основанного на такой технологии смартфона.

Разработка IBM называется Phase-Change Memory. Пока эта технология является слишком дорогой, поэтому о скором её внедрении в мобильные устройства говорить не стоит. Её суть заключается в том, что для записи и чтения данных используется проходящий через аморфное стекло электрический ток. Данная технология уже достаточно давно используется в оптических дисках и некоторых других носителях. Но инженеры IBM придумали, как реализовать метод для сохранения трех битов на одну ячейку. Реализованный способ работает даже в условиях высоких температур.

Новая технология сегодня была продемонстрирована на международном семинаре IEEE-памяти в Париже. Компания надеется, что ей удастся снизить стоимость PCM до такой степени, что она станет дешевле традиционной флеш-памяти и DRAM. Необходимо заметить, что PCM не теряет данные при отключении питания, в этом главное отличие технологии от DRAM. Но при этом технология предоставляет фактически молниеносное сохранение данных, благодаря чему PCM идеально подходит на роль оперативной памяти. Теоретически основанный на этой технологии смартфон сможет включаться за пару секунд! Сейчас же этот процесс занимает от тридцати секунд до одной минуты.