Для Samsung Galaxy S9 уже разрабатывается Snapdragon 845

Источник из Aju Business Daily сообщил, что Qualcomm и Samsung Electronics уже начали разработку Snapdragon 845, новой системы на кристалле для Galaxy S9, который будет выпущен в 2018 год. В отчете говорится, что ни «Snapdragon 845», ни «Galaxy S9» не являются официальными названиями обоих продуктов, но Qualcomm уже упорно работает над разработкой второго поколения своих 10-нм чипов, и Samsung ей в этом помогает. Хотя технический гигант из Сан-Диего еще не определился с официальным названием своего флагманского чипсета 2018 года, отраслевые источники утверждают, что «Snapdragon 845» сейчас наиболее вероятное название нового чипа.

Пока неясно, когда закончится разработка Snapdragon 845, но ожидается, что чип будут производить на базе тайваньской TSMC или Samsung. Последний сценарий может быть более вероятным, если учесть, что Samsung уже производит Qualcomm Snapdragon 835, который недавно дебютировал на рынке в Galaxy S8 и Galaxy S8+.

Новости о разработке Snapdragon 845 появились вскоре после того, как Samsung официально подтвердила, что она завершила разработку второго поколения своего 10-нанометрового процесса FinFET, то есть приобрела все необходимые квалификации для новой технологии производства.

Чтобы подготовиться к серийному выпуску своих новых 10-нм чипов, южнокорейский технический гигант сейчас модернизирует свои производственные мощности, поэтому неудивительно, что компания уже начала сотрудничать с Qualcomm в разработке нового поколении флагманского Snapdragon.

Ожидается, что помимо Galaxy S9 Snapdragon 845 также получат американские варианты Galaxy Note 9, которые выйдут во второй половине 2018 года. Galaxy X — еще один возможный кандидат от Samsung для чипа. По слухам, это складной смартфон, который станет альтернативой традиционным флагманам компании и может выйти на рынок в следующем году. Более подробная информация о Snapdragon 845 и предстоящих высококачественных Android-устройствах Samsung должна появиться в ближайшие месяцы.