MIT и Stanford представили 3-D чип, объединяющий процессор и ОЗУ

Стэнфордский университет и Массачусетский технологический институт объединили усилия для разработки первого 3-D чипа, в который интегрируют оперативную память в чип процессора, построенный с использованием углеродных нанотрубок. Эта технология может использоваться для преодоления трудностей во взаимосвязи между логическими схемами и блоками памяти.

3-D чип описали в статье известного журнала Nature. MIT/Stanford утверждают, что новый чип принципиально изменяет способ изготовления транзисторов. Современные транзисторы выполнены из кремния, но предложенные MIT/Stanford изготовлены из графеновых нанотрубок. Внутри чипа есть логический уровень (слой CNFET). Следующий слой состоит из нового типа памяти под названием «резистивная память с произвольным доступом» (RRAM), принцип работы которой основан на изменение сопротивления диэлектрического материала. Согласно одному из соавторов исследования, RRAM может быть более плотной, быстрой и более энергоэффективной по сравнению с DRAM.

Уровни логики и памяти чередуются, и между слоями находятся «сверхплотные» провода, которые действуют как полосы связи. Несмотря на то, что микросхема углеродных нанотрубок, разработанная MIT/Stanford, очень медленная по сравнению с текущими многоядерными процессорами, руководитель проекта Макс Шулакер утверждает, что более сложные проекты – это всего лишь вопрос времени. 3-D чип объединяет более 1 миллиона ячеек RRAM и 2 миллиона полевых транзисторов из углеродных нанотрубок. На сегодня это самая сложная наноэлектронная система, созданная при помощи новых нанотехнологий.