Samsung планирует выпускать чипы на основе 4-нм техпроцесса

Сейчас топовые чипсеты производятся с использованием 10-нм техпроцесса. Samsung стала одним из лидеров в достижении этой отметки. Чем меньше размер процесса, тем мощнее и энергоэффективнее чипы, так как на них можно разместить больше транзисторов. Это соответствует закону Мура, разработанному соучредителем Intel Гордоном Муром еще в 1965 году. Он отметил, что количество транзисторов на квадратный дюйм в интегральных схемах удваивается каждые два года.

Samsung рассказала, как она собирается перейти от текущего 10-нм процесса до 4-нм. Согласно презентации, сделанной на Samsung Foundry Forum, следующий шаг компании – производство 8-нм чипов с использованием процесса Low Power Plus (LPP). Затем в 7-нм технологии Lower Power Plus впервые будет использоваться литография Extreme Ultra Violet. К тому времени, когда Samsung доберется до своей 6-нм технологии LPP, она будет использовать новое решение Smart Scaling, которое позволит использовать преимущества сверхнизкого потребления ресурсов.

После этого компания перейдет к 5-нм технологии LPP, а затем и к намеченной цели. 4-нм технология LPP будет первой использовать архитектуру следующего поколения, называемую Multi Bridge Channel FET. Это технология производителя Gate All Around FET, разработанная для устранения ограничений физического масштабирования и производительности в архитектуре FinFET.

Переход с 10 до 4-нм займет время, и на этом пути будет возникать множество проблем. Но по мере того как Samsung будет останавливаться на каждом новом этапе на пути к 4-нм микросхемам, потребители получат более высокую производительность и энергоэффективность своих мобильных устройств.

Samsung Foundry Forum 2017