Samsung создала сверхбыструю память MRAM, но ее объем ограничен

Samsung выпустила самую быструю память и хочет показать ее на мероприятии, которое запланировано на 24 мая. Названная MRAM, что является сокращением magnetoresistant random access memory (память с магниторезистивным произвольным доступом), этот тип энергонезависимой памяти использует технологию передачи вращающего момента для считывания и записи данных до 1000 раз быстрее, чем существующие решения NAND. Кроме того, чип потребляет меньше энергии, когда активен, и расход энергии равен нулю, когда он неактивен.

Звучит слишком хорошо, чтобы быть правдой. И небольшие проблемы есть: Samsung не может произвести чип объемом более нескольких мегабайт. Таким образом, MRAM пока хороша только в качестве дополнительной кэш-памяти для прикладных процессоров. Изначально память попадет в устройства Интернете вещей партнерской фирмы NXP, а затем появится на большем количестве электронных устройств, в том числе смартфонах.

Будучи быстрой и энергоэффективной, MRAM идеально подходит для памяти, к которой часто обращаются и которая призвана помочь процессору работать с максимальной производительностью. Ее появление может ускорить и сделать более энергоэффективными смартфоны, планшеты и другие современные устройства.

 

Подписывайтесь на наш Канал в Дзен!

___________________________________

НА ГЛАВНУЮ СТРАНИЦУ САЙТА >>>>

© Mobcompany.info