Современные смартфоны чаще всего получают мизерный объем встроенной памяти — от 8 до 16 Гб. Некоторые модели предлагают чуть больше памяти, но этого требовательному пользователю тоже может не хватить. И лишь самые дорогие версии флагманов располагают 128 Гб встроенной памяти. Южнокорейская компания Samsung считает, что в будущем и этот объем может оказаться недостаточным. В связи с этим её инженеры разработали высокоскоростной чип памяти, который может содержать до 256 Гб всевозможной информации. Не исключено, что его получит Galaxy Note 6, анонс которого состоится осенью.

Компания утверждает, что её чип способен обрабатывать до 45000/40000 операций в секунду при вводе/выводе информации. По сравнению с памятью текущего поколения цифры увеличились примерно в два с половиной раза!

Создатели обещают, что 256-гигабайтный чип позволит системе считывать данные со скоростью до 850 Мб/с (в режиме последовательного чтения). Данный параметр сравним со скоростью, которую предоставляют современные SSD-накопители, имеющие далеко не такие миниатюрные размеры. Что касается последовательной записи, то её скорость составит 260 Мб/с. Этот параметр уже не стоит на одном уровне с настольными твердотельными накопителями, но всё ещё превосходит показатели любой карты памяти microSD.

Также вам понравятся:

Шесть вариантов Samsung Galaxy Note 7 прошли сертификацию FCC По итогам 2016 года Samsung может продать 350 миллионов смартфонов Режим энергосбережения в Samsung Galaxy Note 7 может понижать разрешение экрана Китай получит Galaxy Note 7 с 6 Гб оперативной памяти Купить Samsung Galaxy Note 7 в России и Украине можно будет позже заявленного изначально срока iFixit присвоил Samsung Galaxy Note 7 плохую ремонтопригодность