Samsung представляет 256-гигабайтный чип памяти, которым может обзавестись Galaxy Note 6

Современные смартфоны чаще всего получают мизерный объем встроенной памяти — от 8 до 16 Гб. Некоторые модели предлагают чуть больше памяти, но этого требовательному пользователю тоже может не хватить. И лишь самые дорогие версии флагманов располагают 128 Гб встроенной памяти. Южнокорейская компания Samsung считает, что в будущем и этот объем может оказаться недостаточным. В связи с этим её инженеры разработали высокоскоростной чип памяти, который может содержать до 256 Гб всевозможной информации. Не исключено, что его получит Galaxy Note 6, анонс которого состоится осенью.

Компания утверждает, что её чип способен обрабатывать до 45000/40000 операций в секунду при вводе/выводе информации. По сравнению с памятью текущего поколения цифры увеличились примерно в два с половиной раза!

Создатели обещают, что 256-гигабайтный чип позволит системе считывать данные со скоростью до 850 Мб/с (в режиме последовательного чтения). Данный параметр сравним со скоростью, которую предоставляют современные SSD-накопители, имеющие далеко не такие миниатюрные размеры. Что касается последовательной записи, то её скорость составит 260 Мб/с. Этот параметр уже не стоит на одном уровне с настольными твердотельными накопителями, но всё ещё превосходит показатели любой карты памяти microSD.